Scheduled presentations:

• A variability study on TiN/Ti/HfO2/W memristors with different layer stacks
  P. Rios (Universidad de Granada), M. Villena (Universidad de Granada), M. Saludes-Tapia (IMB-CSIC), F. Jiménez-Molinos (Universidad de Granada), M. González (IMB-CSIC), *J. Roldan (Universidad de Granada)
• Integration of Iberoamerican Laboratories for R+D+I on Advanced ReRAM Devices Applied to AI
  *J. Molina-Reyes (INAOE), G. Mendez-Jeronimo (CICESE), V. Gonzalez-Diaz (BUAP), P. Levy (CONICET-UNSAM), C. Quinteros (CONICET-UNSAM), J. Ramos-Guardarrama (Universidad Tecnológica de la Habana), M. Perez-Martinez (Universidad Tecnológica de la Habana), L. Procel (Universidad San Francisco de Quito), E. Acurio (Escuela Politécnica Nacional), E. Miranda (Universitat Autónoma de Barcelona), J. Suñe (Universitat Autónoma de Barcelona), M. Bargallo-Gonzalez (Institut de Microelectrónica de Barcelona), A. Ortiz-Conde (Universidad Simón Bolívar), G. Fernandez-Lopez (Universidad Monteávila)
• Impact of ALD Growth Mode on the Stochasticity and Reliability of Pt/Ag/HfO2/W/Ti Memristors
  G. Vinuesa (Universidad de Valladolid), H. García (Universidad de Valladolid), M. B. González (Institut de Microelectrònica de Barcelona), *H. Castán (Universidad de Valladolid), S. Dueñas (Universidad de Valladolid)
• Defect generation in the forming process of memristors based on h-BN
  *M. Villena Sánchez (Universidad de Granada), F. Jiménez-Molinos (Universidad de Granada), J. Roldán Aranda (Universidad de Granada)
• Fully Inkjet-Printed Memristors Based on Ag/Poly(4-Vinylphenol)/Ag Structure
  *Z. Su (Institute of Microelectronics of Barcelona), O. Duque (Institute of Microelectronics of Barcelona), A. Cantudo (Universidad de Granada), C. Acal (Universidad de Granada), C. Ferreyra (Institute of Microelectronics of Barcelona), J. Roldán (Universidad de Granada), M. Bargalló (Institute of Microelectronics of Barcelona), C. Martínez-Domingo (Institute of Microelectronics of Barcelona)
• Validation of Memristor-Based Entropy Sources Using an Automated TRNG Testing Framework
  *J. Castillo (Universitat de Barcelona), P. Aran (Universitat de Barcelona), F. Palacio (Universitat de Barcelona), B. Garrido (Universitat de Barcelona), S. Hernández (Universitat de Barcelona), A. Cirera (Universitat de Barcelona)
• Wafer-Scale Variability and Endurance Analysis of HfO₂ and Al-Doped HfO₂ 1T–1R RRAM
  *R. Thileeban (IHP- Microelectronics), E. Perez (IHP- Microelectronics), K. Dorai Swamy Reddy (IHP- Microelectronics), C. Wenger (BTU Cottbus-Senftenberg)
• Volatile resistive switching in fully inkjet-printed PEDOT:PSS/cPVP/Ag memristors
  *O. Duque Trasmonte (Institut de Microelectrònica de Barcelona), Z. Su (Institut de Microelectrònica de Barcelona), A. Cantudo Gómez (Universidad de Granada), J. Jiménez Tejada (Universidad de Granada), C. Acal González (Universidad de Granada), C. Ferreyra (Institut de Microelectrònica de Barcelona), J. Roldán Aranda (Universidad de Granada), M. Bargalló González (Institut de Microelectrònica de Barcelona), C. Martínez Domingo (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
• Scaling And Integration Of Ag-Based Threshold-Type Switching Devices In Hexagonal Boron Nitride At CMOS Back-End-Of-Line
  *O. Alharbi (KAUST), S. Pazos (National University of Singapore), K. Zhu (Fudan University), Y. Yuan (National University of Singapore), M. Lanza (National University of Singapore)
• Design of A 2.5μW Configurable, Error Minimizing Spiking Neuron and Memristor-Based Synapses in 130nm CMOS Technology
  *D. Llobet Munoz (IHP), M. Uhlmann (IHP), L. Bolzani Pöhls (IHP), M. Krstic (IHP), C. Wenger (IHP)
• Low Frequency Modelling of Standalone and Crossbar-Embedded memristors
  *J. Qin (Universitat Autònoma de Barcelona), R. Saldaña (Universitat Autònoma de Barcelona), O. Amarilla (Universitat Autònoma de Barcelona), J. Verdú (Universitat Autònoma de Barcelona), M. Porti (Universitat Autònoma de Barcelona), R. Rodriguez (Universitat Autònoma de Barcelona), A. Crespo-Yepes (Universitat Autònoma de Barcelona), M. Nafría (Universitat Autònoma de Barcelona)
• Argentinian network to develop Artificial Intelligence using Hardware-based Neuromorphic Computing strategies: the IA-CoNSoFi project.
  *P. Levy (CNEA+CONICET+UNSAM)
• Potassium-Ion Intercalation as a Mechanism for Resistive Switching in Prussian Blue MOF thin films
  *L. Borges de Avila Junior (Université catholique de Louvain), O. de Leuze (Université catholique de Louvain), M. Villena (Universidad de Granada), J. Bautista Roldan (Universidad de Granada), B. Hackens (Université catholique de Louvain), F. Abreu Araujo (Université catholique de Louvain)